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Das Institut Funktionale Oxide für die energieeffiziente IT sucht:

Doktorandin/Doktorand (m/w/d)"Development of ferroelectric tunnel junction memory devices for neuromorphic applications"

Kennziffer: EM 2019/8

Das Institut Funktionale Oxide für die energieeffiziente Informationstechnologie arbeitet an der Entwicklung funktionaler Oxide in dünnen Filmen und Nanostrukturen für die energieeffiziente Datenerfassung und -verarbeitung. Dabei richten wir unseren Fokus auf die Materialsynthese, die detaillierte Charakterisierung der Struktur mithilfe fortschrittlicher Methoden sowie auf den Transport und die optischen Eigenschaften in verschiedenen Arten von Materialien und Anordnungen. Wir arbeiten eng zusammen mit verschiedenen Forschungseinrichtungen und Universitäten in Berlin (GrafOx), Europa und den USA.

Aufgabengebiete

Anforderungen

Der Arbeitsvertrag ist über 36 Monate befristet. Die Bezahlung erfolgt nach dem Tarifvertag für den öffentlichen Dienst (TVöD-Bund).

Wir bemühen uns, den Anteil an Mitarbeiterinnen zu erhöhen und freuen uns daher besonders über Bewerbungen von Frauen. Schwerbehinderte Bewerberinnen/Bewerber werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Wir freuen uns auf Ihre Bewerbung über unser Bewerbungsmanagementsystem bis zum 23.06.2019. Aus datenschutzrechtlichen Gründen können wir Bewerbungen, die uns per E-Mail oder auf postalischem Weg erreichen, leider nicht im Bewerbungsverfahren berücksichtigen.

For English version, please click on the following link: English Version.

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